모아의 기웃기웃 · 이해의 작업대

전공정 연재 3 / 10웨이퍼 준비 · 웨이퍼 연마

잘라낸 웨이퍼를 어떻게 거울처럼 만들까?

절단한 원판에는 톱 자국과 표면 아래 손상이 남아요. 래핑, 식각, 연마가 각각 무엇을 바꾸는지 살펴보고, 원판 여러 곳의 두께를 비교해 보세요.

전공정과 후공정은 어디서 나뉠까?

이 연재의 1~3편은 회로를 만들 바탕인 웨이퍼 준비예요. 전공정에서는 웨이퍼에 회로를 만들고, 후공정에서는 칩을 연결·조립하고 검사합니다. STMicroelectronics 제조 공정

웨이퍼 준비부터 회로 형성까지 · 전공정 보기

웨이퍼 준비

  1. 잉곳 성장
  2. 웨이퍼 절단
  3. 웨이퍼 연마

웨이퍼 위 회로 형성

  1. 산화
  2. 포토
  3. 패턴 식각
  4. 이온 주입
  5. 박막 증착
  6. 평탄화(CMP)
  7. 금속 배선

거친 원판이 매끄러워지는 과정

재생하거나 단계를 눌러 표면 굴곡, 주황색 손상층, 연마 패드의 변화를 보세요.

웨이퍼 단면 · 두께와 표면 굴곡을 확대해 그렸습니다.

절단 후 남은 굴곡과 손상을 래핑과 식각으로 줄이고, 패드와 슬러리로 경면 연마한 후 세정하고 검사합니다.
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톱 자국과 손상층이 남아요

절단면에는 굴곡이 있고, 표면 가까이에 미세 손상이 남을 수 있어요. 주황색 층이 이 손상을 나타내요.

실제 공정에서 본 두께와 속도

한 공개 특허의 지름 300 mm 양면 연마 사례예요. 이미 절단과 표면 가공·식각을 거친 원판을 사용했어요.

양면 연마 전 → 후
805 → 775 µm양면을 합해 두께 30 µm를 제거했어요. 최종 두께에 도달한 시점을 확인해야 해요.
평균 제거 속도
0.59 µm/min이 사례에서 1분에 줄어든 평균 두께예요. 제거 속도는 공정 조건에 따라 달라져요.

공개 특허 US20010047978A1 · 실시예 [0045], [0051]~[0052]

같은 원판 안에서도 두께는 다를 수 있어요

TTV(전체 두께 편차)는 가장 두꺼운 곳과 가장 얇은 곳의 두께 차이예요. 슬라이더로 교육용 단면의 두께 차이를 조절해 보세요.

8 µm
두께 측정값에서 최댓값과 최솟값의 차이가 TTV입니다.
가장 두꺼운 곳 779 µm가장 얇은 곳 771 µm

그래프의 두께값은 계산 예시예요. TTV가 작으면 노광할 때 위치에 따른 표면 높이 차이를 줄이는 데 도움이 됩니다. 두께 편차와 미세한 표면 거칠기는 각각 확인하는 항목이에요. SVM SV028 사양 · EPFL 노광 장비 권장 조건